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iStar門控像增強探測器
整合CCD & sCMOS芯片以及像增強器技術
- □?Superior speed up to 4,001 fps and sps
- □?Ultra low noise for high sensitivity
- □?新?Ultrafast spectroscopy and multi-track
- □?Ultimate timing accuracy with <3 ns gating
- □?Market leading dynamic range at full speed
0.000000002 sec
納秒時間分辨應用
等離子體診斷
等離子體可通過很多方法產生,例如:激光燒蝕,電容/電感型電源與電離氣體間的耦合等。對等離子體特性以及動力學過程的理解跟以下領域息息相關:核聚變、沉積、微電子學、材料表征、顯示系統、表面處理、基礎物理和環境健康等。
門控在等離子上用方法研究確定材料的參數。精確的納秒級門控像增強器可被用于等離子體動力學研究,或捕捉脈沖激光器作用下產生的等離子體等信息。
LIBS-激光誘導擊穿光譜
激光誘導擊穿光譜(LIBS)被廣泛應用于固體/液體/氣體的元素成分分析。一束高功率脈沖激光聚焦于樣品表面產生等離子體,等離子體中的原子以及離子的發射光譜被光譜儀和一個門控收集,從而分析出樣品中的元素成分或者濃度信息。
iStar門控功能可以有效地阻斷激光信號,同時將有效的原子光譜信號從連續的軔致輻射中提取出來。
流體和噴霧分析,燃燒過程
平面激光誘導熒光(PLIF)是一種研究流體動力學的主要技術,采用非干擾方式從樣品中獲得流體和火焰的動力學以及化學反應過程。PLIF系統使用脈沖激光作為激發光源,柱面鏡將線激光變成片激光,經過流體/火焰后激發不同基團的熒光,通過門控對熒光信號進行成像。
iStar sCMOS高幀速的特征契合了基于Nd:YAG激光器的PLIF采樣率(15Hz)要求,跟基于CCD或者隔行式相機的門控相比,iStar sCMOS提供更出色的動態范圍以及靈敏度。
iStar sCMOS的“雙幀連拍”模式適用于PLIF-PIV的流體分析,同時門控功能可以有效隔斷背景噪聲。
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案例學習:燃燒光譜學
時間分辨熒光
瞬態發光、熒光、電致發光、輻射發光成像以及光譜技術廣泛應用于金屬復合物、OLED、發光、細胞動力學、遠程化合物檢測以及閃爍體特性表征等。
門控被用于隔斷不需要的脈沖激發光源,也用來檢測樣品發光衰減信號。
iStar系列精確的門控功能可以檢測ns量級的發光衰減。iStar光陰極選項可以與樣品發光波長匹配,用于光譜以及成像的各類研究。
擴展閱讀
案例學習:熒光壽命
案例學習:激光誘導熒光光譜
型號列表以及配置選項:
iStar系列產品提供多種分辨率芯片以獲得清晰的圖像和光譜分辨率,同時具有高動態范圍。

采用光纖錐耦合的方式耦合像
增強器和傳感芯片,提高搜集效率。而棱鏡耦合的方案則會導致通光量降低,成像變形等弊端。
| 型號 | iStar CCD 312 | iStar CCD 320 | iStar CCD 334 | iStar CCD 340 | iStar sCMOS |
|---|---|---|---|---|---|
| 像素矩陣 | 512 x 512 | 1024 x 256 | 1024 x 1024 | 2048 x 512 | 2560 x 2160 |
| 像素尺寸(μm) | 24 | 26 | 13 | 13.5 | 6.5 |
| 高空間/光譜分辨率 | - | - | Yes | Yes | Yes |
| 快速成像率 | Yes | - | - | - | Yes |
| 快速光譜速率 | Yes | Yes | Yes | - | Yes |
| 窄帶光譜學 | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 同時寬帶光譜學 | - | Yes | - | Yes | - |
| 擴展的多通道 | Yes | - | Yes | - | Yes |
一體式時間延時控制器(DDG?TM)
內置低抖動、短插入延時電路保證精確的時間控制功能,確保芯片、像增強器門控和外部硬件同步。
- 門寬和步長設置,10ps精度
- 3路外觸發信號,10ps精度
門控技術-超快光陰極快門
- <2ns真實快門,精確瞬態研究
- Intelligate?- MCP在UV波段提高通斷比
- 500kHz 連續光陰極重復頻率 – 高重復頻率實驗下提高信噪比
ICCD的響應受限于像管的量子效率,主要由入射窗口和光陰極決定。入射窗口一般決定短波長的透過率而光陰極板決定了長波的響應。
Andor iStar產品選用全新GenII(基于alkali), GenIII(基于GaAs)像增強器,響應速度快、分辨率高、門寬低至納秒級別、響應覆蓋VUV(129nm)到 短波(1100nm),量子效率高達50% 。
| 二代光陰極 | 三代光陰極 |
|---|---|
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| 光陰極 | 型號 | 光譜范圍 | 峰值QE | 最短門控 | 推薦 |
|---|---|---|---|---|---|
| -03 | Gen 2 | 180-850 nm | 18% | <2 ns | 等離子體成像、LIBS、瞬態發光/吸收、燃燒(LIF,PLIF) |
| -04 | Gen 2 | 180-850 nm | 18% | <2 ns | 快動力學選用P46 |
| -05 | Gen 2 | 120-850 nm | 16% | <5 ns | VUV選用MgF2光窗 |
| -13 | Gen 2 | 180-920 nm | 13.5% | <50 ns | NIR瞬態光致發光 |
| -63 | Gen 3 | 280-760 nm | 48% | <2 ns | 在VIS波段的瞬態熒光,等離子體研究和光子計數研究 |
| -73 | Gen 3 | 280-910nm | 26% | <2 ns | 在VIS-IR波段的瞬態熒光,等離子體研究和光子計數研究 |
| -83 | Gen 2 | 180-850 nm | 25% | <100 ns | UV波段瞬態研究 |
| -93 | Gen 3 | 180-850 nm | 4% | <3 ns | NIR-IR瞬態光致發光 |
| -A3 | Gen 3 | 280-810nm | 40% | <2 ns | 在VIS-NIR波段的瞬態發光,等離子體研究和光子計數研究 |
| -E3 | Gen 2 | 180-850 nm | 22% | <2 ns | 結合高QE、UV響應、ns門寬特點,適合LIBS、瞬態熒光和吸收、等離子體研究、燃燒(LIF/PLIF) |
想更快嗎?

* 2x2 binning (13 μm pix.), effective 1.5 MP
Competitor Interline ICCD: 1MP, 12.9 μm pixel size
Competitor emICCD: 1 MP, 14 μm pixel size
型號選擇
| 型號 | iStar CCD 312 | iStar CCD 320 | iStar CCD 334 | iStar CCD 340 | iStar sCMOS |
|---|---|---|---|---|---|
| 最大幀率 | 15.8 fps | 15.9 fps | 4.2 fps | 2.5 fps | 50 fps |
| 光譜采集速度(FVB/Crop mode/ROI) | 291 / 6.667 | 323 / 3.571 | 145 / 3.450 | 125 / 1.825 | 4.008 |
| 像素阱深 | 320,000 e- | 500,000 e- | 100,000 e- | 100,000 e- | 30,000 e- |
| 最低讀出噪聲 | 5.4 e- | 7 e- | 5 e- | 6 e- | 2.6 e- |
| 最小暗電流 | 0.25 e-/pix/s | 0.2 e-/pix/s | 0.1 e-/pix/s | 0.1 e-/pix/s | 0.18 e-/pix/s |
客戶發表文獻

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